在普通玻璃的一个表面镀上一层氧化铟锡的导电膜,就形成了LCD常用的氧化铟锡玻璃,通常简称为ITO玻璃。
基本结构
基板:
常用的基板厚度有1.1mm;0.7mm;0.5mm;0.5mm,0.4mm
根据材料的不同,通常分为钠钙玻璃和硼硅玻璃两种。
钠钙型玻璃
优点:成本低
缺点:含有钠、钾等离子,易产生渗透,影响产品性能
硼硅型玻璃
优点:玻璃硬度高,透过率好
缺点:成本较高
钠钙型玻璃基本成分:
SiO2层:
SiO2层的作用:
主要是防止钠钙型基板中的金属离子扩散渗透到ITO层中,影响ITO层的导电能力。
SiO2层的膜厚:
标准膜厚一般为20-30nm。
ITO(indium Tin Oxid)层:
为氧化铟锡的透明导电层,其中I表示In2O3,T表示SnO2,一般Sn(即Tin)的含量约为10%。随着ITO层厚度的增加,ITO层的厚度逐渐减小。
分类
根据基板玻璃表面状态的不同,通常分为以下三种类型:
TN:未抛光型,直接在玻璃的浮法面进行镀膜。
HTN:简单抛光型/TN精选玻璃,将玻璃的浮法面进行简单的抛光后,在抛光面进行镀膜。
STN:超抛光型,将玻璃的浮法面进行精细的抛光后,在抛光面进行镀膜。
生产工艺
ITO玻璃的生产工艺流程主要分为以下三个步骤:
1、切割倒角:
2、抛光;
3、镀膜
注:TN型玻璃不需要抛光,生产工艺流程更简单。
切割磨边的工艺流程:
磨边类型及规格要求:
通常分为C型和R型两种
倒角的形状及公差:
抛光工艺流程:
用研磨料将玻璃表面磨平,使玻璃表面平整。对于STN型ITO玻璃是必须经过的一道生产流程。
镀膜工艺流程:
镀膜方法:
镀膜的方法有:喷雾法;涂覆法;浸渍法;化学气相沉积法;真空蒸发法;测射法,但目前工业化最有效的方法是磁控测射法。
磁控测射法:
在高真空反应室中充入一定比例的02和Ar的混合气体,在直流高压下,Ar被电离,在电场作用下轰击靶材,使铟和锡以原子和离子形式溅射出来,沉积在基板玻璃表面,同时被氧化,形成氧化铟锡膜。
评价参数
透过率
在波长为550nm的光波照射下,具有SI02阻挡层玻璃的透过率不小于80%,其主要取决于玻璃材料、ITO厚度和折射率。
透过率定义:
透过玻璃的光透量T2与入射光透量T1之比的百分率
Tt=T2/T1X100%
方块电阻:
d为膜厚,I为电流,L1为膜厚在电流方向上的长度,L2为膜层在垂直电流方向的长度,ρ为导电膜的体电阻率。ρ和d可以认为是不变的定值,当L1=L2时,为正方形的膜层,无论方块大小如何,其电阻率为定值ρ/d,这就是方块电阻的定义,即R=ρ/d
平整度
平整度可用h/1表示,意思为在长度为L的范围内,表面最高点与最低点的差值为h。
ITO玻璃基板平整度参数包括:
1、玻璃表面粗糙度;
2、基板表面波纹度;
3、基板翘曲度;
4、基板垂直度‘
5、ITO膜表面粗糙度;
6、ITO玻璃基板、膜厚均匀度。
基板翘曲度
用h/L表示(如图),即翘曲的高度与翘起边的长度之比。
其中要求如下:
1、厚度≥0.7mm的基片玻璃,翘曲度(h/L)≤0.1%
2、厚度≤0.55mm的基片玻璃,翘曲度(h/L)≤0.15%
3、不允许有S形翘曲
基板垂直度:用a/L表示(如图)。用来描述玻璃基板四条边互相垂直的程度。
化学稳定性
ITO镀膜层的耐化学性能应符合表2中技术要求。
a、耐碱性
镀层在温度为60±2℃,浓度为10%的氢氧化钠(分析纯)溶液中浸泡5分钟,ITO膜的方电阻与浸泡前的方电阻相比不得超过110%。
b、耐酸性
在25±2℃,6%盐酸(分析纯)溶液中浸泡2分钟,ITO膜的方电阻与浸泡前的方电阻相比不得超过110%。
c、耐溶剂性能
将镀膜玻璃放入丙酮(分析纯)、无水乙醇(分析纯)中浸泡5分钟后,ITO膜的方电阻与浸泡前的方电阻相比不得超过10%。
热稳定性
在空气中经过30分钟300±5℃(触摸屏用ITO玻璃是在200±5℃)高温后,ITO膜的方阻的变化率小于300%
附着力
用3M交代粘在玻璃表面迅速撕开,ITO层无明显开裂现象。
ITO膜面的判定
浮法方向:
在基板玻璃制造过程中,液态玻璃流动的方向。
主要判定方法
(1)将万用表打至欧姆档,用探针分别测试两个点,如果显示不“1”,则所测试面为ITO膜面。
(2)用方块电阻测试仪测试面电阻,如果显示电阻无穷大,则所测面为非ITO膜面。
(3)通过大角设别:以16X14英寸的玻璃为例。
常见问题
印刷显示产业化的发令枪正式打响。
三星电子和LG电子正在扩大被誉为
据国外媒体报道,三星电子2020
新一轮科技革命和产业变革日新月异
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